金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法技术资料下载

技术编号:7165524

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本发明涉及半导体技术,特别涉及一种。 背景技术薄膜晶体管的应用范围广,如可以应用在显示装置的开关器件和驱动器件。在薄膜晶体管中,其电学性能和沟道层的材料和形态有密切的关系。在商业生产的液晶显示装置中,薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)沟道层主要为非晶硅层,其迁移率较低,约为0. 5cm2/Vs的电荷迁移率,因此其应用于大屏幕、高频驱动显示器件上有较大限制。近年来,人们已经对使用氧化物半导体材料层作为TFT的沟道层进行了研究,如在...
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