技术编号：7165628
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件制作方法。 背景技术现有的N沟道横向扩散金属氧化物半导体NLDMOS的结构通常如图1所示，这种结构通常会使电场集中在LOCOS靠近源端的鸟嘴处，因此优化NLDMOS的重点都在使用各种方法减小此处的电场强度。如图所示，通常优化BV的方法是改变多晶硅在深N阱DNW上的长度LA、多晶硅在硅的选择氧化LOCOS上的长度PF和多晶硅离硅的选择氧化LOCOS边界的距离PA。但是只是调整这些尺寸，有时并不能是器件的OFF BV和ON BV同时达到...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。