技术编号:7165667
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造技术,特别涉及一种。背景技术在半导体器件的制造工艺中,P型金属氧化物半导体(PMOS)管、NMOS管、或者由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor, CMOS)管成为构成芯片的基本器件。现有技术中MOS管的制作方法,包括以下步骤步骤11、在具有阱101的半导体衬底100上依次形成栅氧化层102和多晶硅栅极103 ;具体地,对半导体衬底100...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。