技术编号:7165961
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路制造技术。背景技术随着半导体集成电路芯片中器件的集成度越来越高,其中常用的金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的尺寸将进一步缩小,且要求更低的工作电压及更大的驱动电流。为缩小器件尺寸,降低成本,业界常常采用所谓的“自对准通孔”(SAC)的方法;而对降低工作电压,提高驱动电流,尤其是P型沟道的MOS管,则需要用到表面沟道(surfacechannel)器件。但是,当二者结合起来的时候,对于栅极结构及工艺将会有特殊的要求I)在栅极...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。