技术编号:7165966
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术新型存储器已展现出与常用形式的存储器相媲美的显著可能性。例如,非易失性自旋转移(spin-transfer)扭矩随机存取存储器(此处称为ST-RAM)作为“通用”存储器已被讨论过。磁性隧道结(MTJ)单元由于其高速、相对高的密度和低功耗而在ST-RAM的应用中引起了很多关注。大多数活动已集中在具有向平面内的(in-plane)磁各向异性的MTJ单元。预测具有向平面外的(out-plane)磁化方向的MTJ单元能够实现比具有相同磁各向异...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。