技术编号:7165980
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域,特别涉及一种。背景技术半导体集成电路制作利用光刻、刻蚀、注入和沉积等一系列工艺在同一硅衬底上形成大量各种类型的复杂器件,并将之互相连接以具有完整的电子功能。随着超大规模集成电路的迅速发展,芯片的集成度越来越高,元器件的尺寸越来越小,因器件的高密度、小尺寸引发的各种效应对半导体工艺的制作结果的影响也日益突出。以硬掩膜技术为例,当半导体工艺进入90nm以后,因光刻尺寸的越来越小,常需要在晶圆的表面形成硬掩膜层配合光刻胶形成的掩膜图形,...
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