技术编号：7165994
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体领域，特别是涉及ー种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法。背景技术BiCMOS是继CMOS后的新一代高性能VLSIエ艺。CMOS以低功耗、高密度成为80年VLSI的主流エ艺。随着尺寸的逐步缩小，电路性能不断得到提高，但是当尺寸降到Ium以下时，由于载流子速度饱和等原因，它的潜力受到很大的限制。把CMOS和Bipolar集成在同一芯片上，其基本思想是以CMOS器件为主要単元电路，而在要求驱动大电容负载之处加入双极器件或电路...
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