技术编号:7166165
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域的一种刻蚀装置,尤其涉及一种等离子体刻蚀装置。 背景技术随着半导体制造的不断发展,刻蚀的均勻性要求越来越严格,而刻蚀温度对于刻蚀工艺的均勻性控制非常重要。为了提高刻蚀的均勻性,针对刻蚀设备作了较大程度的改进从简单的下电极ESC(静电卡盘)温度单一控制,到静电卡盘的分区控制(中心和边缘),再到增加刻蚀腔体侧壁(chamber wall)的温度控制,到最新的增加上电极(upper electrode)温度单一控制。这些对刻蚀设备的改进基...
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