技术编号:7166211
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文讨论的实施例涉及一种包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管和静电放电(ESD)保护元件的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。背景技术迄今为止,化合物半导体元件已经主要用于处理高频带(微波频带)的信号。然而,在最近几年,已经使用形成在半导体基底中的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管来取代这些化合物半导体元件。LDMOS晶体管的优势在于与化合物半导体元件相比,可以以更低的成本制造LDMOS晶体管。此外,LDMOS晶体管的优势还在于可以...
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