技术编号：7166238
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域，更具体地说，本发明涉及一种。背景技术湿法刻蚀是半导体器件制造过程中常见的工艺。湿法刻蚀是一种传统的刻蚀方法。在湿法刻蚀过程中，硅片被浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中，由此使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。如图1所示，硅衬底30上的被刻蚀层20上布置了抗蚀剂10，未被抗蚀剂10覆盖的被刻蚀区域A由于化学试剂的作用被去除。例如，用一种含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜，用磷酸刻蚀铝薄膜等。这种在液态环境...
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