技术编号：7166266
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，尤其涉及应力记忆(stress memorization)作用的半导体器件及其制造方法。背景技术随着半导体工艺进入亚微米时代，CMOS器件的驱动电流提升问题日趋得到重视， 驱动电流的提升将大大改善元件的延迟时间(time delay)，提高元件的响应速率。操控应力是改善CMOS器件，尤其是场效应晶体管中载流子迁移率以及增大MOS器件的跨导(或者减小串联电阻)，进而提高驱动电流的有效方式。在现有的半导体制造工艺中，引入了一种应力记忆技术...
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