技术编号:7166287
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于薄膜晶体管(thin film transistor)中的多晶硅薄膜(polycrystalline silicon thin film)和采用该多晶硅薄膜的器件,更尤其是用于具有在不变和规则的晶体生长方向上的硅晶粒(silicon grain)的薄膜晶体管的多晶硅薄膜,和用上述多晶硅薄膜制成的薄膜晶体管的器件。 背景技术 众所周知,用多晶硅制造薄膜晶体管(此后称为TFT)时,存在于包含在有源沟道区(active channel region...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。