技术编号:7166450
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体领域中拐角钝化的方法,特别是涉及ー种。背景技术绝缘栅双极型晶体管(InsolatedGate Bipolar Transistor, IGBT)是由 MOSFET和双极型晶体管复合而成的ー种器件,其输入极为M0SFET,输出极为PNP晶体管,它综合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。在绝缘栅双极型晶体管在半导体...
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