技术编号:7166677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及浮体效应存储器件用的SOI (Silicon On hsulator 绝缘衬底上硅)硅片及其制造方法,更确切的说,本发明涉及通过注氧隔离(SIMOX,Separation by Implantation of Oxygen)方法制备 SOI (Silicon On Insulator,绝缘衬底上硅)硅片,以及由该SOI硅片构成的浮体效应存储器件。背景技术嵌入式动态存储技术的发展已经使得大容量DRAM(Dynamic Random Access M...
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