技术编号:7166706
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路及其制造,尤其涉及一种形成高阶电常数K和T型金属栅极的形成方法。背景技术在半导体制造工艺中,集成电路尤其是超大规模集成电路中的主要器件是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transisto,简称MOS晶体管)。自从MOS管被发明以来,其本身的几何尺寸一直在不断的缩小,目前MOS管本身的几何特征尺寸已进入45nm范围。在此尺寸下,各种实际的和基本的限制和...
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