技术编号:7166945
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路,涉及一种EEPROM结构,尤其涉及一种标准单栅 CMOS工艺兼容的EEPR0M。背景技术EEPROM(也写作E2PROM)是电擦除可编程只读存储器(Electrically-ErasablePr ogrammable Read-Only Memory)。它是一种可以通过电方式多次复写的半导体存储设备。 它相对于EI3ROM(Erasable Programmable Read Only Memory)的优势在于擦写时不需要紫外线照射,可...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。