技术编号:7167232
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及高压功率半导体器件领域,具体来说,是一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管,适用于等离子平板显示设备、半桥驱动电路以及汽车生产领域等驱动芯片。背景技术随着人们生活水平的不断提高,电子产品对于体积、性能、可靠性和成本等方面不断提出新的要求。在这种形势下绝缘体上硅(Silicon On Insulator, SOI)工艺技术问世了,其独特的绝缘埋层把器件与衬底完全隔离,减轻了衬底对器件的影响,消除了器件发生闩锁效应(latch-up)的风险,在...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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