技术编号:7167423
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体技术,特别涉及一种。背景技术钳位二极管被广泛的应用在集成电路中,起到钳位电压的作用,如ESD(Electro-Static discharge,静电释放)保护回路中的器件等等。通常这些电路对于钳位二极管的钳位电压的精度要求很高,对钳位电压的面内分布、器件时间依存性、温度依存性、漏电等等指标都有很闻的要求。常见的钳位二极管的纵向界面如图1所示,其结构是在P型硅衬底上生成N型阱区,在N型阱区上形成有源区和隔离场区(通常是浅沟槽绝缘区,STI),...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。