技术编号：7167443
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体，特别涉及一种制备高锗(Ge)组分的应变SiGe层的方法。背景技术在现代半导体技术中，提高半导体器件的性能是一个很重要的课题。提高载流子迁移率是提高半导体器件的驱动电流的有效措施之一，而载流子迁移率的提高可以通过在沟道中引入应变来实现。如对于P型绝缘栅型场效应管(PM0SFET)，采用具有压应变的应变SiGe作为沟道可以大大提高空穴的迁移率，从而提高器件的性能；从另一方面来说，和硅相比，锗材料具有更高的载流子迁移率。所以，SiGe层中Ge组...
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