技术编号:7167566
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子学中的微电子工艺,具体涉及到制作相变存储器使用的刻蚀工艺。背景技术相变随机存储器是一种非易失存储设备,通过电流作用产生的热效应使相变材料在多晶态和非晶态之间发生可逆转变,利用多晶态(低阻)和非晶态(高阻)电阻高低的不同来记录数值“0”和“1”。相变随机存储器不仅具有非易失性、速度快、可靠性高、功耗低、 寿命长、与CMOS工艺兼容等优点适合广泛应用于日常电子产品中,而且抗辐射,抗振动,可实现多值存储,可在超低温和高温等特殊环境下工作等特点,在...
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