技术编号：7167800
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及离子注入设计领域，特别涉及一种。背景技术离子注入是半导体器件制备的关键工艺，尤其是针对SiC材料，离子注入是形成 SiC器件掺杂的核心工艺技术。碳化硅(SiC)作为新一代宽禁带半导体材料，具有热导率高、电子的饱和速度大、击穿电压高等优点，是高温、大功率、高频等半导体器件的理想材料。但由于杂质在SiC中的扩散系小，离子注入掺杂是除了外延掺杂以外的唯一可行的方法，离子注入工艺的良好解决有助于SiC材料的进一步推广应用，使SiC器件的制备更加灵活。通过...
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