技术编号:7168242
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用氧化物半导体的。 背景技术如在液晶显示器中典型见到的,在例如玻璃衬底等平板之上形成的薄膜晶体管使用非晶硅或多晶硅制造。使用非晶硅形成的薄膜晶体管具有低电场效应迁移率,但这样的晶体管可以在具有更大面积的玻璃衬底之上形成。在另一方面,使用晶体硅形成的薄膜晶体管具有高电场效应迁移率,但例如激光退火等结晶工艺是必需的并且这样的晶体管不是一直都适用于更大的玻璃衬底。鉴于前述,注意力已经被吸引到薄膜晶体管使用氧化物半导体被形成所采用的技术,并且这样的晶体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。