技术编号:7168403
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。无结纳米线场效应晶体管本发明属于半导体,具体涉及一种分裂环栅无结纳米线场效应晶体管。技术背景集成电路的发展一直按照摩尔定律的指引,使得集成电路密度更高、功耗更小、能够实现的功能越多,而这一切都离不开器件尺寸缩小和性能的提高。但是随着器件尺寸的不断缩小,特别是器件进入深纳米尺度,器件的各种二级效应,例如短沟道效应、漏致势垒降低效应等,导致器件性能下降。因此为了抑制短沟道等不良效应,提高器件性能,许多新型的器件结构被不断提出,例如双栅器件、三栅器件、鱼鳍式场效...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。