技术编号:7168533
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种。背景技术现今集成电路设计和制造领域所遇到的一个挑战是如何降低信号传输RC延迟(Resistive Capacitive delay),对此,现在技术已经采用的一种方法是将招金属层替换为铜金属层,降低金属层串联电阻;还有一种方法是降低金属层之间的寄生电容,这可以通过在金属层之间的介质层中构造多孔的(Porous)低介电常数(Low k)材料或者空气隙(Air Gap)来实现。现有技术公开了一种制作自对准纳米柱形空气隙的方法以及...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。