技术编号:7168545
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在图像显示装置等中使用的的薄膜半导体器件。背景技术 在形成现有的薄膜半导体器件(主要在图像显示装置等中使用的薄膜晶体管(TFT))的母体薄膜中主要使用了高温多晶硅。该高温多晶硅是利用900℃左右的高温热处理在石英基板上形成了多晶硅而构成的,其中形成比较大的粒径(500~600nm)的多晶硅。在由该高温多晶硅形成的TFT中,由于将粒界密度低且结晶性良好的硅薄膜作为沟道来利用,故电子迁移率为100~150[cm2/Vs],即,可得到接近于单晶硅的电子...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。