技术编号:7168546
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可应用于电子材料、磁性材料、光学材料、陶瓷等多种电子部件及其制造工序的清洗方法(以下将通常的清洗方法、表面处理方法等总称为清洗方法)。特别是涉及使用恰当的清洗方法的半导体器件制造方法以及用该制造方法制造的半导体器件。背景技术 一般的半导体器件的结构如专利文献1所述,是在Si衬底上形成热氧化膜,用CVD(化学气相淀积)法或PVD(物理气相淀积)法形成绝缘膜,再在其上形成半导体膜,对这些膜进行加工形成半导体元件的结构。因此,在加工上述膜以形成半导体元...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。