技术编号:7168588
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及栅介质层及MOS晶体管的形成方法。背景技术随着半导体器件集成度的不断提高,技术节点的降低,传统的栅介质层不断变薄,晶体管漏电量随之增加,引起半导体器件功耗浪费等问题。为解决上述问题,现有技术提供一种将金属栅极替代多晶娃栅极的解决方案。在美国专利US6664195中提供了一种形成金属栅极的方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有替代栅结构、及位于所述半导体衬底上覆盖所述替代栅结构的层间介质层;以所述替代栅结构作为停止层,对所...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。