技术编号：7168762
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路器件及其驱动方法，更具体而言，涉及一种具有多电平的磁存储装置及其驱动方法。背景技术除了高速和低功耗之外，快速的写入/读取操作和低的操作电压也是嵌入在电子设备中的存储器的有益特性。已提出的磁存储装置满足这些有益特性。磁存储装置具有高速操作和/或非易失性特性。通常，磁存储装置可以包括磁隧道结模式(下文称为MTJ)。MTJ可以包括两种磁性材料和插入到所述两种磁性材料之间的绝缘层。MTJ的电阻根据所述两种磁性材料的磁化方向而变化。更具体...
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