技术编号:7168763
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及大功率模块的封装技术,尤其涉及采用散热片的模块封装技术。 背景技术全封装的功率半导体往往存在散热性不充分的问题,在半导体的使用过程中,要求具有良好的散热特性,并同时兼顾绝缘性能。半导体封装的趋势是小型化、模块化。特别是大功率封装模块要求将控制集成电路和功率IGBTansulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)器件封装在一起,对散热特性、绝缘特性提出了更高的要求。虽然集成电路和其他电子设备早已经历了高速、高...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。