技术编号：7168871
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路技术。技术背景高压LDMOS结构因其为横向结构，可与中低压器件集成，对于提高芯片的集成度及提高芯片的稳定性有显著的优势。同时可以降低芯片的封装成本。现今高压LDMOS结构在电源管理芯片中得到广泛应用，大有取代VDMOS器件的趋势，尤其在大于700v的应用场I=I O判断LDMOS结构性能的指标主要为比导通电阻及击穿电压两项。现今LDMOS的发展趋势是在达到耐压指标的情况下，尽可能降低器件的比导通电阻。LDMOS的比导通电阻与漂移区长度成正...
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