技术编号：7168980
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及固态成像器件和和制造固态成像器件的方法。更具体而言，本发明涉及其中具有执行光电转换的传感器的、半导体衬底的表面的界面状态可以被补偿的固态成像器件。背景技术在诸如C⑶或CMOS图像传感器的固态成像器件中，已知由光电二极管构成的传感器中的晶体缺陷以及传感器的表面和布置在其上的膜之间的界面处的界面状态成为产生暗电流的原因。空穴积累二极管(HAD)结构被已知作为用于抑制由于界面状态(上述的原因之一)导致的暗电流产生的技术。图8A示出了没有应用HAD结构的...
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