技术编号:7169131
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,具体来说,本发明涉及一种60V非对称高压 PMOS结构及其制造方法。背景技术B⑶工艺是把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上,是一种先进的单片集成工艺技术。它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、功耗低的优点, 使其互相取长补短,发挥各自的优点;更为重要的是,它集成了 DMOS功率器件,DMOS可以在开关模式下工作,功耗极低,不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。低功耗是BCD工艺的主要优点之一,...
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