技术编号:7169403
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。改善之鳍式场效晶体管相关申请的交叉参考本申请交叉参考同时提交、与本申请具有相同受让人、名称为“FINFETWITHSTRESSORS”的美国专利申请(申请号_;代理人档案号CSM P 2010 NAT 09US0),其内容籍由参考纳入本申请。背景技术业界已在研究针对下一代器件的鳍式晶体管,例如22纳米以下技术。这可能是由于,例如,鳍式晶体管有助于高集成密度。不过,传统的鳍式晶体管呈现高寄生结电容,从而降低了性能。另外,形成鳍式晶体管的传统制程导致高度变化大...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。