技术编号:7169634
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2010年12月28日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第 10-2010-0137228号的优先权权益,其全部公开内容通过引用合并于此。本公开内容涉及具有贯通电极的堆叠结构的半导体器件,更具体地,本公开内容涉及半导体器件,该半导体器件具有用于避免在多个半导体层之间传送的多条信息之间产生冲突的结构。背景技术随着例如半导体存储器件等等的半导体器件具有越来越高的集成度,普通二维 (2D)结构的集成高度几乎已达到极限。需要实现超越这...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。