技术编号:7169712
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,具体而言,涉及一种用于晶圆的刷洗装置。 背景技术晶圆的化学机械抛光工艺(以下简称CMP工艺)被公认为是目前有效的实现全局平坦化的技术,被广泛应用于芯片制造领域。而晶圆CMP工艺后,晶圆表面残留有机化合物、颗粒和金属杂质等表面污物,而表面污物将影响晶圆的下一道工艺,进而严重损害芯片的性能和可靠性。为此,需要在CMP工艺后对晶圆进行刷洗以除去其表面污物。发明内容本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。