技术编号:7170024
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路及其制造,特别涉及一种。背景技术非挥发性存储器具有在无电源供应时仍能保持数据信息的优点,在信息存储领域具有非常重要的地位。其中利用电阻变化的新型非挥发性存储器具有高速度(< Ins)、低操作电压(< 1.5V)、高存储密度、可以在一个单元上实现多值存储、易于集成等优点,很有希望成为下一代半导体存储器的主流技术。这种阻变存储器(RRAM) —般具有金属-绝缘体-金属的三明治结构,即在两层金属电极之间加入一层具有阻变特性的介...
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