技术编号:7170048
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及半导体结构及其形成方法、CMOS及其形成方法。背景技术随着半导体工艺技术的不断发展,随着工艺节点逐渐减小,后栅(gate-last)工艺得到了广泛应用,来获得理想的阈值电压,改善器件性能。但是当器件的特征尺寸(CD,Critical Dimension)进一步下降时,即使采用后栅工艺,常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求,鳍式场效应晶体管(Fin FET)作为常规器件的替代得到了广泛的关注。图1示出了现...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。