技术编号：7170196
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术硅基太阳能电池中涉及P型和N型半导体，P型半导体(P指positive，带正电) 由硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素(通常为B)组成，会在半导体内部形成带正电的空穴；N型半导体(N指negative，带负电)由硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。太阳电池能量由光能转换为电能的基础是PN结的光生伏特效应。光照射到电池上产生电子一空穴对，电子一空穴对到达空间电荷区后，受内建电场的吸引，电子流入N ...
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