技术编号:7170262
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术,特别涉及一种半导体防静电保护结构。背景技术随着半导体芯片的运用越来越广泛,半导体芯片所涉及到的静电损伤也越来越广泛。通常穿尼龙制品的人体静电可能达到21000V的高压,750V左右的静电放电可以产生火花,而仅IOV左右的静电电压就可能损毁没有静电保护(electrostatic discharge,ESD)的芯片。现在有很多种防静电保护电路的设计和应用,通常包括栅接地的N型场效应晶体管(Gate Grounded NMOS, GGNM...
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