技术编号:7170269
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种增加背表面钝化与开线印刷铝浆,制备背电场区域接触晶体硅太阳电池的方法。背景技术背电场区域接触晶体硅太阳电池结构在实验室工艺制作非常复杂,繁琐,生产成本很高,直到目前为止,世界范围内尚未应用到大规模商业化生产中。要实现背表面钝化区域接触,实验室工艺中采取的是光刻方法,或者激光烧融的方法。其中光刻法工艺过程复杂,成本高,一般用于半导体行业中;激光烧融的方法对激光和背面电场要求很高,实际大规模生产中可能造成成品率低,激光烧融形成背表面接触在最后一步...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。