技术编号：7170324
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种片上集成铜电感。技术背景众所周知的，目前CMOS工艺主要分为铜后道和铝后道两种后道金属互连工艺。由于铜电阻率比铝低30%，从而使用铜后道互连工艺可以大幅降低金属互连线的RC延迟和功耗，提高电路速度，因此在0. 13 μ m以下的先进工艺中铜互连工艺得到广泛应用。随着半导体集成电路工艺技术的发展，在通信发挥重要作用的射频集成电路(RFIC)基于成本的考虑逐渐从最初制作在砷化镓(GaAs)等三五族衬底上转移到采用硅(Si...
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