技术编号:7170400
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用亚纳米复合法制备ZnO基半导体薄膜材料的方法,属于电子材料。背景技术传统的微电子学建立在电子的电荷特性基础上,电子的自旋信息是不予考虑的。从上世纪九十年代以来,电子的自旋输运特性引起了研究者的重视,人们开始考虑利用电子的自旋特性来开发研制新的电子器件。由于以半导体为基础的微电子技术已经非常成熟,因此利用传统的半导体工艺和材料制备出具有全新功能的自旋电子器件具有非常重要的意义。这方面的研究主要集中在两个方向一是制备载流子自旋极化的半导体材料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。