技术编号:7170476
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术,特别涉及一种具有空气间隙(Air Gap)的。背景技术现今集成电路设计和制造领域所遇到的一个挑战是如何降低信号传输RC延迟(Resistance Capacitance Delay),对此,普遍采用的一种方法是降低金属连线之间的寄生电容(Parasitic Capacitance),通常通过采用低介电常数的介质层来实现。由于空气的介电常数较低,为1.0 (相对介电常数值),因此在金属连线之间形成空气间隙(Air Gap)能够进一步...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。