技术编号:7171157
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种等离子体工艺装置,特别是涉及一种双面等离子体工艺装置的电极载具结构。背景技术在半导体工艺中,干式刻蚀工艺一般为刻蚀,是将刻蚀气体注入真空反应室内,再利用射频源让刻蚀气体产生等离子体,进而对基材进行刻蚀。以往的刻蚀结构,请参阅图1所示(例如中国台湾发明专利证书号U98357 —案所揭露),是将基材90放置于一电极板91上并且间隔对应于一气体分布电极板92的正下方,刻蚀气体是通过气体分布电极板92的通孔921并在电极板91与气体分布电极板92...
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