技术编号:7171613
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率电子器件的领域。其涉及功率半导体器件,尤其涉及权利要求1前序部分所述的功率二极管。如在所有的半导体中的情况一样,在二极管中也把半导体参数彼此协调,以得到尽可能引人注目的数据。这样的协调举例来说基于-载流子寿命-通过电子、金、铂或者其它的复合中心调节,-轴向或者横向结构的载流子寿命,-特殊地控制边缘区载流子寿命,-影响导通状态等离子分布的均匀型发射区设计,或者-用于电流相关地影响导通状等离子分布的精细结构的发射区构形。对于二极管来说关断具有重要...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。