技术编号:7171616
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于半导体微影制程,特别是有关于微影制程中的抗反射层,更特别地,是有关于一种多层式抗反射层以及采用该多层式抗反射层的半导体制程。背景技术 随着半导体组件的积集化程度提高,半导体组件的线宽要求越来越小,关键尺寸(critical dimension,CD)的控制也越来越重要。在微影制程中,由于晶圆表面已存在图形的高低落差,因此在光阻覆盖于晶圆表面时,会随着光阻的平坦化特性(planarization),造成光阻层厚度不一。而当微影光线在光阻中行进时,...
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