技术编号:7171630
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种,特别是有关于一种利用多晶硅层作为蚀刻罩幕来形成接触窗,并在多晶硅层表面形成一化学氧化层作为防护层的。背景技术 随着集成电路日趋精密与复杂化,为了能够在有限的芯片表面上制作足够的金属内联机,目前大多采用多层内联机的立体架构方式,以完成各个组件的连接,并以介电层来作为隔离各金属内联机的介电材料。在多重内连导线的制程中,除了需制作各层导线图案之外,更需借助接触窗(contact)或介层窗(via),以作为组件接触区与导线之间,或是多层导线之间...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。