技术编号:7171822
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造装置,尤其涉及一种机械手臂。 背景技术钨在集成电路中通常被用作高传导性的互连金属、金属层间的通孔(Via)和垂直接触的接触孔(Contact)以及铝和硅间的隔离层。制备钨的方法有蒸发、溅射以及化学气相沉积(CVD,Chemical Vapor D印osition),相对于蒸发与溅射来说,化学气相沉积制备出的薄膜有以下优势低电阻率、 对电迁移的高抵抗力以及填充小通孔时的优异的平整性;并且化学气相沉积还可以使钨在金属和硅上进行选择性淀积...
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