技术编号:7171907
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体薄膜,具体说,是p型导电的氧化锡薄膜。背景技术 氧化锡是一种很有前途的宽禁带半导体材料,在气体传感器、透明导电膜等及其他光电器件方面已经得到较多的应用,在宽禁带高温电子器件方面也有很大的应用前景。由于氧空位及其他缺陷的存在,未经掺杂的氧化锡材料一般是n型的,即导带电子导电。由于半导体中的自补偿效应,氧化锡很难通过掺杂获得p型导电的氧化锡材料。在本发明作出前,还未有p型导电的氧化锡材料,但电子器件应用要求必须同时有p型导电和n型导电的两种...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。