技术编号:7172274
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于InN-GaN基蓝光半导体外延生长的MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法。背景技术 以GaN为代表的宽带隙III-V族化合物半导体材料正在受到越来越多的关注,它们将在蓝、绿光发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)、高密度信息读写、水下通信、深水探测、激光打印、生物及医学工程,以及超高速微电子器件和超高频微波器件方面具有广泛的应用前景。由于GaN熔点高、硬度大、饱和蒸汽压高,故要生长大尺寸的GaN体单晶需要高温和高压,波兰高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。